MEMS电磁继电器
基本信息
申请号 | CN200710119273.8 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN101159202A | 公开(公告)日 | 2008-04-09 |
申请公布号 | CN101159202A | 申请公布日 | 2008-04-09 |
分类号 | H01H51/01(2006.01);H01H50/16(2006.01);H01H50/44(2006.01) | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 尤政;李慧娟;张高飞;杨建中 | 申请(专利权)人 | 北京同方华创科技有限公司 |
代理机构 | - | 代理人 | - |
地址 | 100084北京市100084信箱82分箱清华大学专利办公室 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | MEMS电磁继电器,属于继电器技术和MEMS技术领域。为解决现有微电磁继电器体积大、功耗高,不能适用微型自动检测仪器及微型航空航天器对小体积、智能化、低功耗电磁继电器的需求,本发明公开了一种MEMS电磁继电器,采用三层结构,自上而下依次是上层硅基底、下层硅基底、永磁体;上层硅基底中空,中间通过两个扭梁支撑一个扭板形成扭摆结构,扭板最下层是活动接触电极;下层硅基底表面的凹槽中设有两个平面螺旋线圈,在两个平面螺旋线圈之上覆盖有绝缘层,绝缘层上设有两对固定接触电极,每对固定接触电极含有两个相互间隔的独立的固定接触电极。本发明可以大规模阵列,并且可以与控制电路集成在同一基底上。 |
