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一种IGBT陶瓷外壳用信号引线的结构

基本信息

申请号 CN201921075536.4 申请日 -
公开（公告）号 CN210272340U 公开（公告）日 2020-04-07
申请公布号 CN210272340U 申请公布日 2020-04-07
分类号 H01L23/49;H01L29/417;H01L29/739 分类 基本电气元件;
发明人 李啸琳;朱萍;孙小伟 申请（专利权）人 无锡天杨电子有限公司
代理机构 苏州国卓知识产权代理有限公司 代理人 无锡天杨电子有限公司
地址 214154 江苏省无锡市惠山区经济开发区洛社配套区东一路51号
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种IGBT陶瓷外壳用信号引线的结构，包括陶瓷底座、陶瓷底座包括发射极铜块、发射极小法兰、瓷件、集电极焊接法兰和辅助极引出管，发射极铜压块的外壁四周设置有发射极小法兰，发射极小法兰的顶端外边缘设置有瓷环，瓷环的顶端一侧面焊接有发射极法兰，瓷环的内壁设置有辅助极引出管，瓷环、辅助极引出管与发射极小法兰之间均通过金属化层连接导通。该IGBT陶瓷外壳用信号引线的结构，将瓷件内壁辅助极引出管与发射极小法兰之间直接用金属化层连接导通，最终实现辅助极引出管与发射极铜块之间导通，该结构简单、连接稳定性高，且省却了焊接接线片的工序，并使内部空间扩大，装载芯片更加简单方便。