生产硅单晶的直拉区熔法
基本信息
| 申请号 | CN00105518.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN1267751A | 公开（公告）日 | 2000-09-27 |
| 申请公布号 | CN1267751A | 申请公布日 | 2000-09-27 |
| 分类号 | C30B15/00;C30B13/00 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 沈浩平;李翔;汪雨田;昝兴利 | 申请（专利权）人 | 天津市半导体材料厂 |
| 代理机构 | 天津市电子仪表工业管理局专利代理事务所 | 代理人 | 杜文茹 |
| 地址 | 300161天津市河东区张贵庄路152号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种生产硅单晶的直拉区熔法,是由直拉炉和区熔炉完成的,步骤如下:(1)将料装入直拉炉抽真空充氩气,(2)加热化料熔接籽晶,(3)拉细颈,(4)放肩收肩,(5)等径生长,(6)收尾,(7)降温出炉,(8)对多晶棒定形加工清洗腐蚀,(9)装入区熔炉抽真空充氩气,(10)预热化料熔接籽晶,(11)引晶拉细颈,(12)放肩等径生长,(13)拉断尾部,(14)降温停炉晶体出炉。本发明克服了直拉硅中的高氧含量,生产的硅单晶氧含量为1016atm/cm3,热稳定性好,又克服了区熔法不能掺入特殊固态元素的不足,可掺入特殊固态元素,提高了区熔炉的产能,降低了生产成本缩短了生产周期。 |
