一种法拉第屏蔽装置、等离子体刻蚀系统及其使用方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种法拉第屏蔽装置、等离子体刻蚀系统及其使用方法

基本信息

申请号	CN202010470678.1	申请日	-
公开（公告）号	CN113745085A	公开（公告）日	2021-12-03
申请公布号	CN113745085A	申请公布日	2021-12-03
分类号	H01J37/32（2006.01）I;H01J37/02（2006.01）I;H01J37/305（2006.01）I;H01L21/67（2006.01）I;H05B1/02（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	郭颂;刘海洋;王铖熠;程实然;刘小波;张军;胡冬冬;许开东	申请（专利权）人	北京鲁汶半导体科技有限公司
代理机构	南京经纬专利商标代理有限公司	代理人	肖鹏
地址	100176北京市大兴区北京经济技术开发区经海二路28号4幢2层203
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种法拉第屏蔽装置、等离子体刻蚀系统及其使用方法，所述法拉第屏蔽装置包括法拉第屏蔽板和加热电路；所述法拉第屏蔽板包括导电环和多个辐射对称连接在导电环外周的导电瓣状件；所述加热电路用于刻蚀工艺时，通电加热法拉第屏蔽板。本发明当刻蚀工艺时，导通加热电路与法拉第屏蔽板，使法拉第屏蔽板通电温度升高，加热介质窗，减少产物的沉积量；由于法拉第屏蔽板与介质窗直接接触，加热效率高，热量散失少，简化了设备结构；当清洗工艺时，关闭加热电路与法拉第屏蔽板，法拉第屏蔽板接入屏蔽电源，对介质窗进行清洗；所述加热电源的输出端经滤波电路单元滤波后，连接至法拉第屏蔽板，有效防止射频线圈与法拉第屏蔽板之间产生耦合。