一种高度可调节聚焦环及等离子体刻蚀设备
基本信息
| 申请号 | CN202121290748.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN214672496U | 公开（公告）日 | 2021-11-09 |
| 申请公布号 | CN214672496U | 申请公布日 | 2021-11-09 |
| 分类号 | H01J37/32（2006.01）I;H01L21/67（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李娜;韩大健;张怀东;胡冬冬;王海东;程实然;郭颂;许开东 | 申请（专利权）人 | 北京鲁汶半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 薛晨光 |
| 地址 | 100176北京市大兴区经济技术开发区经海二路28号4幢2层203 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开一种高度可调节聚焦环及等离子体刻蚀设备，该高度可调节聚焦环包括上聚焦环（41）和下聚焦环（42），该上、下聚焦环（42）之间配置有高度调节适配副（A），以调节上聚焦环（41）相对于下聚焦环（42）的高度；至少部分上聚焦环（41）位于下聚焦环（42）的上方，且该部分上聚焦环（41）的下表面与下聚焦环（42）的上表面之间配置有径向阻隔适配副（B），并配置为：在高度调节的行程范围内，构建聚焦环径向内外侧的气流阻隔。应用本方案，可根据需要调节上聚焦环（41）上表面的高度，从而满足不同使用工况的工艺需求，具有较好的可适应性，并可获得良好的晶圆工艺稳定性。 |
