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一种半导体器件的焊锡厚度测量方法

基本信息

申请号 CN202011134281.1 申请日 -
公开（公告）号 CN112304263B 公开（公告）日 2022-02-15
申请公布号 CN112304263B 申请公布日 2022-02-15
分类号 G01B17/02（2006.01）I 分类 测量；测试;
发明人 刘金龙;黄彩清 申请（专利权）人 深圳赛意法微电子有限公司
代理机构 广州市越秀区哲力专利商标事务所（普通合伙） 代理人 杨莉莎
地址 518038广东省深圳市福田区福保街道福田保税区桃花路16号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种半导体器件的焊锡厚度测量方法，包括基准面确定步骤、测量基准确定步骤、第一扫描步骤、第一计算步骤与第二计算步骤，其能够在不损坏半导体器件的情况下对半导体器件的焊锡厚度进行测量。