半导体器件及半导体器件的制备方法

基本信息

申请号 CN202111264323.8 申请日 -
公开(公告)号 CN114093846A 公开(公告)日 2022-02-25
申请公布号 CN114093846A 申请公布日 2022-02-25
分类号 H01L23/544(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 陈峤;梁一鸣 申请(专利权)人 深圳赛意法微电子有限公司
代理机构 广州嘉权专利商标事务所有限公司 代理人 黄广龙
地址 518038广东省深圳市福田区福保街道福田保税区桃花路16号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种半导体器件及半导体器件的制备方法。由第一对准件和第二对准件所构成的对准结构能够确保第二基板以及贴装在第二基板上的第二连接层与第二基板在水平方向,即在X、Y轴上实现精确对准,有效地改善第二基板在贴装过程中由于设备本身的误差而造成位置偏差的问题。同时,对准凹部还设置有允许对准凸部自动滑落的第一区域,有利于器件在封装过程自动矫正偏差,进一步避免因材料层位置偏移而带来的质量问题。