一种半导体工件激光切割方法
基本信息
申请号 | CN201910194601.3 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN109909624B | 公开(公告)日 | 2021-05-11 |
申请公布号 | CN109909624B | 申请公布日 | 2021-05-11 |
分类号 | H01L21/78 | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 陈洁 | 申请(专利权)人 | 苏州福唐智能科技有限公司 |
代理机构 | - | 代理人 | - |
地址 | 215123 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区2幢506 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明提供了一种半导体工件激光切割方法,本发明预先形成预切割(即浅沟道),然后填充分散有吸热颗粒的有机物,利用有机物隔开堆积物与衬底的融合,且吸热颗粒吸收激光入射过大的能量,防止热应力过大引起的翘曲;并且利用该有机物的可湿释放性,将所述堆积物清除带走。 |
