一种半导体工件激光切割方法

基本信息

申请号 CN201910194601.3 申请日 -
公开(公告)号 CN109909624B 公开(公告)日 2021-05-11
申请公布号 CN109909624B 申请公布日 2021-05-11
分类号 H01L21/78 分类 基本电气元件;
发明人 陈洁 申请(专利权)人 苏州福唐智能科技有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 215123 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区2幢506
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种半导体工件激光切割方法,本发明预先形成预切割(即浅沟道),然后填充分散有吸热颗粒的有机物,利用有机物隔开堆积物与衬底的融合,且吸热颗粒吸收激光入射过大的能量,防止热应力过大引起的翘曲;并且利用该有机物的可湿释放性,将所述堆积物清除带走。