用于半导体晶棒生长的导流筒、生长装置及生长方法
基本信息
| 申请号 | CN202110047576.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112877768A | 公开（公告）日 | 2021-06-01 |
| 申请公布号 | CN112877768A | 申请公布日 | 2021-06-01 |
| 分类号 | C30B15/00;C30B15/20 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 夏秋良 | 申请（专利权）人 | 新美光（苏州）半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京超凡宏宇专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 刘建荣 |
| 地址 | 215000 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城NW-20#107、108、109、110 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种用于半导体晶棒生长的导流筒、生长装置及生长方法，涉及半导体材料制备技术领域。该导流筒由导流筒本体以及设置在所述导流筒本体外表面的硅涂层构成，其中，主要由高纯硅材料制成的硅涂层表面粗糙度较现有的碳化硅涂层有明显降低，表面平整致密，对于光热反射率较高，可减少导流筒对于光热的吸收，降低光热损失；同时硅的导热系数明显低于碳化硅的导热系数，故在导流筒本体表面设置硅涂层，可有效减少在半导体晶棒拉制过程的热量损失，有利于热场内温度的保持，同时降低半导体晶棒生长功率，达到了节能降耗的目的，可大幅度降低单晶拉制的生产成本。本发明还提供一种半导体晶棒生长装置，包括上述导流筒。 |
