长晶炉内监测方法及长晶炉
基本信息
申请号 | CN201910336795.6 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN110004492A | 公开(公告)日 | 2019-07-12 |
申请公布号 | CN110004492A | 申请公布日 | 2019-07-12 |
分类号 | C30B29/06;C30B15/20;G01D21/02 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
发明人 | 夏秋良;范雪峰 | 申请(专利权)人 | 新美光(苏州)半导体科技有限公司 |
代理机构 | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人 | 苏州新美光纳米科技有限公司;新美光(苏州)半导体科技有限公司 |
地址 | 215000 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城NW-20#107、108、109、110 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明提供一种长晶炉内监测方法及长晶炉,该方法包括:接收影像设备在各窗口第一图像数据、第二图像数据和第三图像数据;第一图像数据为单晶硅棒的图像数据;第二图像数据为熔融多晶硅的图像数据;第三图像数据为坩埚的图像数据;接收尺寸测量设备在各窗口采集的尺寸数据;尺寸数据包括:单晶硅棒的直径数据;接收位移采集设备采集的拉晶线的位移数据;接收环境监测设备在各窗口采集的环境信息;根据第一图像数据、单晶硅棒的直径数据和位移数据生成单晶硅棒的三维图像;按照三维图像上的各坐标点与环境信息的映射关系,存放各坐标点对应的环境信息。可通过三维立体可视图像观测长晶炉内各个方位的情况,实现全面监测。 |
