超大尺寸半导体单晶硅棒生长方法及单晶硅棒
基本信息
| 申请号 | CN202011433010.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112553684A | 公开（公告）日 | 2021-03-26 |
| 申请公布号 | CN112553684A | 申请公布日 | 2021-03-26 |
| 分类号 | C30B15/22(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 夏秋良;刘坤 | 申请（专利权）人 | 新美光（苏州）半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京超凡宏宇专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 荣颖佳 |
| 地址 | 215000江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城NW-20#107、108、109、110 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种超大尺寸半导体单晶硅棒生长方法及单晶硅棒，涉及单晶硅加工技术领域，本发明提供的超大尺寸半导体单晶硅棒生长方法，包括以下步骤：加热单晶硅原料的底部，待单晶硅原料的底部熔化时向上拉制熔化的单晶硅原料；随着单晶硅原料被拉升，减小对熔化的单晶硅原料的拉升速度。本发明提供的超大尺寸半导体单晶硅棒生长方法，可以在单晶硅棒的放肩部位形成弧形曲面，且可降低产生断线的几率。 |
