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一种坩埚组件及长晶炉

基本信息

申请号 CN201910208143.4 申请日 -
公开（公告）号 CN109868503A 公开（公告）日 2019-06-11
申请公布号 CN109868503A 申请公布日 2019-06-11
分类号 C30B15/12（2006.01）I; C30B29/06（2006.01）I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 夏秋良; 范雪峰 申请（专利权）人 新美光（苏州）半导体科技有限公司
代理机构 北京超凡志成知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 苏州新美光纳米科技有限公司
地址 215000 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城NW-20#107、108、109、110
法律状态 -

摘要

摘要 一种坩埚组件及长晶炉，涉及晶体生长设备技术领域。该坩埚组件包括石英坩埚、石墨坩埚以及隔离层，石英坩埚设于石墨坩埚内，隔离层设于石英坩埚与石墨坩埚之间，隔离层用于阻隔石英坩埚与石墨坩埚发生接触反应。该长晶炉包括炉体、用于提拉和旋转籽晶的提拉旋转机构，以及上述的坩埚组件，坩埚组件位于炉体内，长晶炉还包括环设于坩埚组件的石墨坩埚外部的加热器，其中，坩埚组件的石英坩埚内用于容纳原料。该坩埚组件能够降低石墨坩埚的氧化侵蚀速度，进而增加了石墨坩埚的使用寿命，同时降低了单晶硅棒内的碳氧堆积，提高了单晶硅棒的整体质量。