一种防止氮化硅集成电路板钎焊分层的原料制备方法和设备
基本信息
| 申请号 | CN202111557579.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114105668A | 公开（公告）日 | 2022-03-01 |
| 申请公布号 | CN114105668A | 申请公布日 | 2022-03-01 |
| 分类号 | C04B37/00（2006.01）I;C04B41/91（2006.01）I | 分类 | 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕; |
| 发明人 | 田鑫;徐涛;伊恒彬;张莹;王婷婷;常艳杰 | 申请（专利权）人 | 辽宁伊菲科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 安徽中辰臻远专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 刘朝琴 |
| 地址 | 125208辽宁省葫芦岛市东戴河新区A区燕山路东段11号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种防止氮化硅集成电路板钎焊分层的原料制备方法和设备，涉及电路板钎焊技术领域，主要解决现有的钎焊原材料对氮化硅陶瓷基板的电路板进行钎焊后容易因为受热发生钎焊虚焊分层的问题；本发明主要是通过对钎焊原料的改良添加了活性元素Zr，它能够与被连接的陶瓷发生反应，实现对陶瓷的润湿，添加了B4C的陶瓷颗粒可降低钎料的热膨胀系数，与陶瓷基板的热膨胀系数更加匹配，润湿作用更好。对氮化硅陶瓷基板进行物理纹路添加，提高了接触面积，更好的提高胶结表面的结合力，保证钎焊后的电路板在受热状态下大大降低发生钎焊分层的概率。 |
