一种基于铜掺杂硫化镉纳米线的光电传感器及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201910328691.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110047973A | 公开（公告）日 | 2019-07-23 |
| 申请公布号 | CN110047973A | 申请公布日 | 2019-07-23 |
| 分类号 | H01L31/18;H01L21/02;H01L31/0296;H01L31/09;B82Y30/00;B82Y40/00;C01G11/02 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 范佳旭 | 申请（专利权）人 | 北京蜃景光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京航智知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 墨伟;程连贞 |
| 地址 | 100200 北京市海淀区花园北路14号环星大厦E座105 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种基于铜掺杂硫化镉纳米线的光电传感器及其制备方法，包括将衬底材料清洗，氮气吹干，放置掩膜，在真空腔中用电子束蒸发的方法沉积先后沉积Ti膜和Au膜；用UV激光打标机在Au/Ti膜上沿设定的方波状路线烧蚀划刻沟槽，构建指叉状电极；将衬底放入气相生长设备中，利用Au作为催化剂，通过高温气相生长法制备Cu掺杂的CdS纳米线，根据掺杂原料的填充量，掺杂入CdS中的Cu原子百分比可在0‑7％之间调控，纳米线在沟槽上部相互搭叠桥连，形成光电传感单元，本发明的光电传感器具有晶体缺陷少、无表面污染、且电流按照一维路径传输的特点，所用的气相生长设备实现了纳米线蒸气的高效生长。 |
