超低电容固体放电管
基本信息
| 申请号 | CN201320854955.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN203644786U | 公开（公告）日 | 2014-06-11 |
| 申请公布号 | CN203644786U | 申请公布日 | 2014-06-11 |
| 分类号 | H01L29/74(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 倪侠 | 申请（专利权）人 | 北京弘高创意建筑设计股份有限公司 |
| 代理机构 | 南京天华专利代理有限责任公司 | 代理人 | 江苏东光微电子股份有限公司;江苏东晨电子科技有限公司 |
| 地址 | 214205 江苏省无锡市宜兴新街百合工业园 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种超低电容固体放电管，它包括上下两个硼基区P，在上下两个硼基区P内分别布置四个磷扩散区N+，形成元胞式阴极。本实用新型的上下两个硼基区P的外侧均设有金属层；在上下两个硼基区P内的磷扩散区N+等距分布；磷扩散区N+的结深为25~30μm；在上下两个硼基区P的结深均为10~15μm。本实用新型在原低电容结构设计基础上，将阴极调整为元胞式分布，提高每个元胞阴极的热沉周长，从而在相同芯片面积的基础上增加通流能力。基于该设计，原芯片面积可进行缩减，进而减小PN结面积，降低结电容。 |
