一种双面半导体器件的QFN封装结构及方法
基本信息
| 申请号 | CN201410315879.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104064533A | 公开（公告）日 | 2014-09-24 |
| 申请公布号 | CN104064533A | 申请公布日 | 2014-09-24 |
| 分类号 | H01L23/31(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 倪侠 | 申请（专利权）人 | 北京弘高创意建筑设计股份有限公司 |
| 代理机构 | 南京天华专利代理有限责任公司 | 代理人 | 江苏东光微电子股份有限公司;江苏东晨电子科技有限公司 |
| 地址 | 214205 江苏省无锡市宜兴新街百合工业园 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种双面半导体器件的QFN封装结构，包括芯片及与其对接的框架，所述芯片在其与框架的接触面的侧边缘设有宽槽，在宽槽表面覆盖有玻璃钝化层；所述框架在其与芯片宽槽的内边对应的位置开有一定宽度的溢流槽；芯片和框架通过导电胶粘合，过量的导电胶置于溢流槽中。本发明还公开了一种双面半导体器件的QFN封装方法。本发明在芯片上设置宽槽结构，在框架上设置溢流槽结构，导电胶在溢料时会流入溢流槽，有效的防止了导电胶溢料时的短路问题；本发明的导电胶选择型号为京瓷2815A，在双面半导体器件为功率器件时，也能满足瞬时大电流的特殊工作状态需要。 |
