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ESD保护的功率MOSFET和IGBT

基本信息

申请号	CN201020648105.5	申请日	-
公开（公告）号	CN202534648U	公开（公告）日	2012-11-14
申请公布号	CN202534648U	申请公布日	2012-11-14
分类号	H01L27/02(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L23/60(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	钱梦亮;陈俊标	申请（专利权）人	北京弘高创意建筑设计股份有限公司
代理机构	宜兴市天宇知识产权事务所（普通合伙）	代理人	江苏东光微电子股份有限公司;江苏东晨电子科技有限公司;宜兴市东晨电子科技有限公司
地址	214204 江苏省无锡市宜兴市新街百合工业园
法律状态	-

摘要

本实用新型是对具有ESD保护功率MOSFET和IGBT改进，ESD保护单元由多晶硅二极管组及下方N-外延层中体硅二极管组成的双重保护结构，所说多晶硅二极管组中各P型区及N型区浓度，分别与功率MOSFET和IGBT的P阱浓度及N+源相同，构成P-/N+多晶硅二极管组，所说体硅二极管由N+/P-区/P+结构组成。使得ESD保护具有双重结构，相同面积下增加了ESD泄放通道，ESD泄放能力更强，芯片利用率提高，以及可使二极管个数增加泄漏电流降低，较好协调了ESD保护效果与栅源间泄漏电流关系。此结构还可以使其成为与功率MOSFET和IGBT的P阱与N+源为同一制造层，可以通过同一道离子注入工序完成，不需要额外工序，使得制造工艺简化，成本降低。