大功率方片可控硅封装结构
基本信息
| 申请号 | CN201320861456.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN203644755U | 公开（公告）日 | 2014-06-11 |
| 申请公布号 | CN203644755U | 申请公布日 | 2014-06-11 |
| 分类号 | H01L23/31(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 许志峰 | 申请（专利权）人 | 北京弘高创意建筑设计股份有限公司 |
| 代理机构 | 南京天华专利代理有限责任公司 | 代理人 | 江苏东光微电子股份有限公司;江苏东晨电子科技有限公司 |
| 地址 | 214205 江苏省无锡市宜兴新街百合工业园 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种大功率方片可控硅封装结构，它包括从上至下依次设置的上钼片（7）、第三焊料层（6）、芯片（5）、第二焊料层（4）、下钼片（3）和第一焊料层（2），前述上钼片（7）、第三焊料层（6）、芯片（5）、第二焊料层（4）、下钼片（3）和第一焊料层（2）均置于硅胶框（8）内，芯片（5）的两端插入硅胶框（8）内部，硅胶框（8）外部安装有导电外壳（1），所述的导电外壳（1）为顶部敞开，其余三面封闭的半包围结构，所述的导电外壳（1）的底部焊接在该大功率方片可控硅需要安装的位置。本实用新型使用时，装配操作简易，相比于传统封装形式不良率降低一个数量级。 |
