一种用于生长大表面带状硅的引晶拉制方法
基本信息
| 申请号 | CN202010062746.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111172588A | 公开（公告）日 | 2020-05-19 |
| 申请公布号 | CN111172588A | 申请公布日 | 2020-05-19 |
| 分类号 | C30B28/10;C30B29/06 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 葛文星;赵建;雍兵 | 申请（专利权）人 | 江苏双良新能源装备有限公司 |
| 代理机构 | 江阴市扬子专利代理事务所(普通合伙) | 代理人 | 江苏双良新能源装备有限公司 |
| 地址 | 214444 江苏省无锡市江阴市临港街道西利路115号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种用于生长大表面带状硅的引晶拉制方法，具体为：固定在软轴或硬轴下端的籽晶与多晶硅材料熔化得到的硅溶液接触，利用毛细作用引拉出一层与接触面等距的实体硅；实体硅脱离硅液温度下降逐步凝固成固体形成狭长地带，继续通过利用软轴或硬轴驱动向上持续凝固固体，形成与模具相同的大表面带状硅；生长结束后取出生长的带状硅，简单切除籽晶和带状硅产品中间的狭长硅带。本发明的用于生长大表面带状硅的引晶拉制方法，通过简单切除引晶时狭长硅带即可实现小接触面积的籽晶与带状硅产品分离，同时小接触面积的籽晶仍可继续使用，提高生产效率、节约生产成本。 |
