一种薄膜沉积工艺控制系统
基本信息
申请号 | CN201822206910.1 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN209854239U | 公开(公告)日 | 2019-12-27 |
申请公布号 | CN209854239U | 申请公布日 | 2019-12-27 |
分类号 | C23C14/34(2006.01); C23C14/54(2006.01) | 分类 | 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
发明人 | 张晓军 | 申请(专利权)人 | 深圳市矩阵多元科技有限公司 |
代理机构 | 深圳市华优知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人 | 余薇 |
地址 | 518000 广东省深圳市福田区福田街道圩镇社区福田路24号海岸环庆大厦24层2401Ⅰ | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本实用新型涉及薄膜制造技术领域,尤其涉及一种薄膜沉积工艺控制系统,用于薄膜沉积的工艺控制,所述薄膜沉积装置包括激光器、真空腔,靶材模块以及基片加热组件,所述测试系统包括:厚度测试模块以及与所述厚度测试模块信号连接的计算机设备;所述厚度测试模块包括设置在所述真空腔内的晶振测试组件以及与所述晶振测试组件传动连接的水平驱动装置,所述水平驱动装置用于驱动所述晶振测试组件在所述真空腔内预设的测试网格中水平移动,所述晶振测试组件用于测试每个网格点的薄膜生长厚度,所述测试网格位于薄膜生长平面上。本实用新型能提高薄膜生长效率,使得大面积薄膜沉积的可控性和重复性提供保障。 |
