一种配比可控的大面积高通量复合薄膜合成装置

基本信息

申请号 CN201822157390.X 申请日 -
公开(公告)号 CN209194035U 公开(公告)日 2019-08-02
申请公布号 CN209194035U 申请公布日 2019-08-02
分类号 C23C14/04(2006.01)I; C23C14/28(2006.01)I; C23C14/50(2006.01)I; C23C14/54(2006.01)I 分类 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人 张晓军 申请(专利权)人 深圳市矩阵多元科技有限公司
代理机构 佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人 陈志超
地址 518057 广东省深圳市福田区福田街道圩镇社区福田路24号海岸环庆大厦24层2401Ⅰ
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型提供一种配比可控的大面积高通量复合薄膜合成装置,本装置中设置了可移动的基片架,并在基片架和靶材之间设置了用于遮挡掩膜部分区域的挡板,在合成薄膜的过程中,利用挡板掩盖部分掩膜孔并移动基片架,调整基片架与靶材的相对位置和移动速度,从而调整辉羽中心在每个掩膜孔中停留的时间,不仅可以控制每个掩膜孔对应复合薄膜样品的厚度,克服了高通量PLD镀膜不均匀的缺陷,还可以通过控制每个掩膜孔在沉积不同材料时,辉羽中心停留的时间比,调整每个掩膜孔对应的基片样品中沉积的不同材料之间的配比,从而实现配比可控。