一种高通量掩膜版及切换机构

基本信息

申请号 CN202022309143.4 申请日 -
公开(公告)号 CN214991796U 公开(公告)日 2021-12-03
申请公布号 CN214991796U 申请公布日 2021-12-03
分类号 C23C14/04(2006.01)I 分类 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人 张晓军;胡凯;姜鹭;方安安;陈志强;杨洪生;董帅;袁国亮;刘东方;尹曦;郑晓昊 申请(专利权)人 深圳市矩阵多元科技有限公司
代理机构 深圳市华优知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人 余薇
地址 518000广东省深圳市南山区西丽街道朗山路28号通产新兴产业园3号厂房1楼北侧
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型适用于掩膜版技术领域,提供了一种高通量掩膜版及切换机构,包括:固定设置在基片上的第一掩膜版、以及设置在第一掩膜版一侧的第二掩膜版,第一掩膜版与第二掩膜版之间设置有间隔,第一掩膜版上设有4个第一小孔,第二掩膜版上设有至少1个第二小孔;其中,第一小孔小于第二小孔,且第一小孔和第二小孔有一定的对应关系,第二小孔自转三次能覆盖所有的第一小孔。本实用新型通过在基片上设置的第一掩膜版以及间隔设置在第一掩膜版一侧的第二掩膜,通过设置有间隔后,不直接接触温度影响降低,从而使得加热对掩膜板的影响减小;而通过第一小孔和第二小孔,避免第二掩膜版多次旋转后发生错位,对位效果良好,便于推广使用。