一种高通量掩膜版及高通量薄膜制造设备
基本信息
| 申请号 | CN202022729297.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN214991797U | 公开（公告）日 | 2021-12-03 |
| 申请公布号 | CN214991797U | 申请公布日 | 2021-12-03 |
| 分类号 | C23C14/04（2006.01）I;C23C14/34（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 张晓军;胡凯;姜鹭;方安安;陈志强;杨洪生;董帅;袁国亮;刘东方;尹曦;郑晓昊 | 申请（专利权）人 | 深圳市矩阵多元科技有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市华优知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 余薇 |
| 地址 | 518000广东省深圳市南山区西丽街道朗山路28号通产新兴产业园3号厂房1楼北侧 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型适用于高通量掩膜版技术领域，提供了一种高通量掩膜版及高通量薄膜制造设备，包括：固定在基片上的单孔掩膜版、以及设置在单孔掩膜版上的梯形掩膜版，所述梯形掩膜版上至少设有第一梯形孔和第二梯形孔，通过所述梯形掩膜版在所述单孔掩膜版上移动的方式溅射薄膜到所述基片上形成薄膜厚度梯度；通过将所述梯形掩膜版移动在所述单孔掩膜版上能够溅射薄膜到基片上，在将梯形掩膜版不断的移动过程中会生长成薄膜厚度梯度，三个方向上的梯度组合形成不同的材料，从而提高了材料的制备效率；本实用新型提高了高通量材料的制造效率，节约成本，结构简单，适用范围广。 |
