一种脉冲激光沉积和磁控溅射复合系统
基本信息
| 申请号 | CN201922082352.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN211445880U | 公开（公告）日 | 2020-09-08 |
| 申请公布号 | CN211445880U | 申请公布日 | 2020-09-08 |
| 分类号 | C23C14/28(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 张晓军;陈志强;朱新华;胡凯;姜鹭;方安安 | 申请（专利权）人 | 深圳市矩阵多元科技有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市华优知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 余薇 |
| 地址 | 518000广东省深圳市南山区西丽街道朗山路28号通产新兴产业园3号厂房1楼北侧 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型适用于材料制造技术领域，提供了一种脉冲激光沉积和磁控溅射复合系统，包括：腔体，其顶部设置有基片台；脉冲激光沉积系统，其包括设置于腔体底部的靶材切换装置以及设置于所述靶材切换装置上的PLD靶材挡板，所述PLD靶材挡板设置有一开孔，所述靶材切换装置可将其上靶材切换至所述开孔位置；磁控溅射系统，其包括设置于腔体内用于控制磁控溅射靶材对准所述基片台的靶材对准装置、用于升降靶材控制装置的升降装置，以及由磁屏蔽材料制作的磁控挡板用以遮蔽所述磁控溅射靶材。本实用新型实现了一个复合系统中同时具有脉冲激光沉积系统和磁控溅射系统，从而降低了装置的制造成本。 |
