纳米晶的制备方法、纳米晶及含其的光学膜、发光器件
基本信息
| 申请号 | CN202110130341.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113969164A | 公开（公告）日 | 2022-01-25 |
| 申请公布号 | CN113969164A | 申请公布日 | 2022-01-25 |
| 分类号 | C09K11/02（2006.01）I;C09K11/62（2006.01）I;C09K11/56（2006.01）I;C09K11/70（2006.01）I;C09K11/88（2006.01）I;B82Y30/00（2011.01）I;B82Y40/00（2011.01）I;H01L33/50（2010.01）I | 分类 | 染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用; |
| 发明人 | 胡保忠;高远;李光旭;赵滔 | 申请（专利权）人 | 纳晶科技股份有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 310052浙江省杭州市滨江区长河街道秋溢路428号3幢3楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请提供了一种纳米晶、制备方法及组合物、光学膜、发光器件。该纳米晶包括初始纳米晶和包覆于初始纳米晶外的牺牲壳层，牺牲壳层包括以初始纳米晶为中心向外依次包覆的n个牺牲子层，n个牺牲子层的材料相同或不同；如果对所述纳米晶进行刻蚀，至少部分牺牲壳层在刻蚀过程中被逐渐消耗，在刻蚀过程中测定m次的荧光发射波长、半峰宽、量子产率和在一定波长激发光激发下的吸光度，则0≦MAXPL‑MINPL≦10nm，0≦MAXFWHM‑MINFWHM≦10nm，80％≦MINQY/MAXQY≦100％，80％≦MINAB/MAXAB≦100％，其中，n、m各自为大于等于1的整数。 |
