掺杂量子点及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201811128679.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109337689B | 公开（公告）日 | 2022-03-22 |
| 申请公布号 | CN109337689B | 申请公布日 | 2022-03-22 |
| 分类号 | C09K11/88（2006.01）I;C09K11/02（2006.01）I;B82Y20/00（2011.01）I;B82Y30/00（2011.01）I | 分类 | 染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用; |
| 发明人 | 周健海;余世荣;邵蕾 | 申请（专利权）人 | 纳晶科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 广州市越秀区哲力专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 胡拥军;糜婧 |
| 地址 | 310052浙江省杭州市滨江区秋溢路428号3幢2层东 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了掺杂量子点及其制备方法，该方法适于将掺杂离子引入到第一量子点晶格内，形成掺杂量子点，以改善第一量子点的物理性能。掺杂量子点的制备方法包括以下步骤：S11.将用于合成第一量子点的阳离子前体与溶剂混合，得到第一溶液；S12.将用于合成第一量子点的阴离子前体加入上述第一溶液，阴离子前体与阳离子前体反应一段时间后得到第二溶液；S13.向上述第二溶液中加入掺杂离子的前体，量子点继续生长，得到掺杂量子点。本发明的上述量子点掺杂方法掺杂离子浓度可调范围大，既适用于量子点核的掺杂，同样也适用于核壳量子点中壳层的掺杂。采用本发明的方法制备的掺杂量子点，其荧光半峰宽窄，尺寸形貌单分散性好。 |
