一种薄膜铌酸锂电光调制器及制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110888815.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113325612A | 公开（公告）日 | 2021-08-31 |
| 申请公布号 | CN113325612A | 申请公布日 | 2021-08-31 |
| 分类号 | G02F1/03（2006.01）I | 分类 | 光学; |
| 发明人 | 胡紫阳;陈力锋;蔡文杰 | 申请（专利权）人 | 江苏铌奥光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 南京苏高专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 柏尚春 |
| 地址 | 210003江苏省南京市鼓楼区福建路洪庙一巷5号红五月科创产业园1栋102 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种薄膜铌酸锂电光调制器及制备方法，薄膜铌酸锂电光调制器包括从下到上布置的硅衬底、埋氧层和铌酸锂层，铌酸锂层上表面刻蚀形成薄膜铌酸锂光波导；薄膜铌酸锂光波导包括马赫曾德尔结构；在马赫曾德尔结构每条光波导臂两侧分别设置行波信号电极和行波接地电极，在行波信号电极和行波接地电极之间设置用于对光波导臂内的光信号调制的电容负载型T结构电极；马赫曾德尔结构每条光波导臂两侧和下方设置有用于降低微波信号有效折射率的镂空隔离结构。该种电光调制器在硅基衬底下实现了超低驱动电压，超低微波损耗，超大电光带宽的薄膜铌酸锂电光调制器，便于未来在光通信，光传感，光集成等领域实现超高速，超低能耗的电光调制。 |
