基于铌酸锂薄膜的同相正交调制器及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201811204697.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109143621B | 公开（公告）日 | 2020-10-23 |
| 申请公布号 | CN109143621B | 申请公布日 | 2020-10-23 |
| 分类号 | G02F1/03;G02F1/035 | 分类 | 光学; |
| 发明人 | 蔡鑫伦;简健 | 申请（专利权）人 | 江苏铌奥光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 广州粤高专利商标代理有限公司 | 代理人 | 林丽明 |
| 地址 | 210003 江苏省南京市鼓楼区福建路洪庙一巷5号南京红五月科创产业园1栋102室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种基于铌酸锂的同相正交调制器，包括衬底、铌酸锂薄膜、铌酸锂光波导、1×2光学分束器、马赫曾德尔调制器、90°偏置结构；所述铌酸锂薄膜键合于衬底上，所述铌酸锂光波导、1×2光学分束器、马赫曾德尔调制器、90°偏置结构均设置在铌酸锂薄膜上；所述光束通过1×2光学分束器分出两支光束，两支光束分别通过不同的马赫曾德尔调制器，马赫曾德尔调制器输出端输出两支光束，其中一支光束进入90°偏置结构后输出，另一支光束用于检测输出。本发明具有低功耗、小型化、低驱动电压、高带宽的高阶相位和强度调制器件。本发明适用于光学信号调制领域。 |
