一种MEMS结构的制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201910415710.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110113702B | 公开（公告）日 | 2021-10-01 |
| 申请公布号 | CN110113702B | 申请公布日 | 2021-10-01 |
| 分类号 | H04R31/00 | 分类 | 电通信技术; |
| 发明人 | 刘端 | 申请（专利权）人 | 安徽奥飞声学科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 230092 安徽省合肥市高新区习友路3333号中国（合肥）国际智能语音产业园研发中心楼611-91室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请提供了一种制造MEMS(微机电系统)结构的方法，包括：在衬底的正面上沉积形成压电复合振动层；蚀刻所述压电复合振动层以在所述压电复合振动层的整个表面上形成贯穿所述压电复合振动层的多个通孔；在所述压电复合振动层的外围，在露出的所述衬底上蚀刻形成第一凹槽；蚀刻所述衬底的背面以形成邻近所述第一凹槽的空腔，所述第一凹槽设置在所述空腔的外围，所述压电复合振动层形成在所述空腔正上方，其中，位于所述第一凹槽与所述空腔之间的部分的所述衬底支撑所述压电复合振动层。该MEMS结构提高了压电复合振动层在声压作用下的位移和形变，降低了残余应力，进而提高了MEMS结构的灵敏度。 |
