一种MEMS结构的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201910415705.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110113699A | 公开（公告）日 | 2021-06-29 |
| 申请公布号 | CN110113699A | 申请公布日 | 2021-06-29 |
| 分类号 | H04R19/04 | 分类 | 电通信技术; |
| 发明人 | 刘端 | 申请（专利权）人 | 安徽奥飞声学科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 230092 安徽省合肥市高新区习友路3333号中国（合肥）国际智能语音产业园研发中心楼611-91室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请公开了一种制造MEMS（微机电系统）结构的方法，包括：在衬底的正面上沉积形成压电复合振动层；在压电复合振动层的中间区域沉积形成质量块；蚀刻压电复合振动层的外围区域以形成贯穿压电复合振动层的多个第一通孔；在压电复合振动层的外部，在露出的衬底上蚀刻形成第一凹槽；蚀刻衬底的背面以形成邻近第一凹槽的空腔，第一凹槽设置在空腔的外围，压电复合振动层形成在空腔正上方，其中，位于第一凹槽与空腔之间的部分的衬底支撑压电复合振动层。该方法使得位于第一凹槽和空腔之间的部分衬底材料支撑压电复合振动层，提高了压电复合振动层在声压作用下的位移和形变，降低了残余应力，进而提高了MEMS结构的灵敏度。 |
