一种MEMS结构及其形成方法

基本信息

申请号 CN201911099149.9 申请日 -
公开(公告)号 CN110798788B 公开(公告)日 2021-05-11
申请公布号 CN110798788B 申请公布日 2021-05-11
分类号 H04R19/04 分类 电通信技术;
发明人 刘端 申请(专利权)人 安徽奥飞声学科技有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 230092 安徽省合肥市高新区习友路3333号中国(合肥)国际智能语音产业园研发中心楼611-91室
法律状态 -

摘要

摘要 本申请公开了一种MEMS结构的形成方法,包括:在衬底的正面形成第一牺牲层和突出于所述衬底外的支柱,并且所述第一牺牲层的顶面与所述支柱的顶面平齐;在所述支柱和所述第一牺牲层上方形成压电复合振动层;去除所述第一牺牲层形成空腔。该MEMS结构采用支柱支撑压电复合振动层,从而有利于提高MEMS结构的灵敏度。