一种MEMS结构及其形成方法
基本信息
申请号 | CN201911099149.9 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN110798788B | 公开(公告)日 | 2021-05-11 |
申请公布号 | CN110798788B | 申请公布日 | 2021-05-11 |
分类号 | H04R19/04 | 分类 | 电通信技术; |
发明人 | 刘端 | 申请(专利权)人 | 安徽奥飞声学科技有限公司 |
代理机构 | - | 代理人 | - |
地址 | 230092 安徽省合肥市高新区习友路3333号中国(合肥)国际智能语音产业园研发中心楼611-91室 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本申请公开了一种MEMS结构的形成方法,包括:在衬底的正面形成第一牺牲层和突出于所述衬底外的支柱,并且所述第一牺牲层的顶面与所述支柱的顶面平齐;在所述支柱和所述第一牺牲层上方形成压电复合振动层;去除所述第一牺牲层形成空腔。该MEMS结构采用支柱支撑压电复合振动层,从而有利于提高MEMS结构的灵敏度。 |
