具有调制掺杂电子阻挡层结构的深紫外LED及制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202111463623.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114203872A | 公开（公告）日 | 2022-03-18 |
| 申请公布号 | CN114203872A | 申请公布日 | 2022-03-18 |
| 分类号 | H01L33/14（2010.01）I;H01L33/06（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张骏;陈云;张毅;岳金顺 | 申请（专利权）人 | 苏州紫灿科技有限公司 |
| 代理机构 | 武汉智嘉联合知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 姜婷 |
| 地址 | 215000江苏省苏州市吴江区黎里镇城司路158号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种具有调制掺杂电子阻挡层结构的深紫外LED及其制备方法，该具有调制掺杂电子阻挡层结构的深紫外LED包括依次层叠设置的蓝宝石衬底、AlN本征层、n型AlGaN电子注入层、量子阱有源层、调制掺杂电子阻挡层和p型AlGaN空穴注入层，调制掺杂电子阻挡层包括交替排布的若干第一阻挡层和第二阻挡层；第一阻挡层和第二阻挡层均含Mg掺杂，且第一阻挡层的Mg掺杂浓度大于第二阻挡层的Mg掺杂浓度；或者第一阻挡层和第二阻挡层均不含Mg掺杂，在第一阻挡层与第二阻挡层的界面处进行Mg掺杂。本发明通过对电子阻挡层进行调制掺杂，提高了Mg掺杂效率，有效防止Mg向有源区扩散，提高了深紫外LED的发光效率。 |
