一种具有自组装模板的AlGaN复合薄膜及其制备方法

基本信息

申请号 CN202010830369.0 申请日 -
公开(公告)号 CN112086543B 公开(公告)日 2021-11-26
申请公布号 CN112086543B 申请公布日 2021-11-26
分类号 H01L33/12;H01L33/32;H01L33/00 分类 基本电气元件;
发明人 张骏;岳金顺;梁仁瓅 申请(专利权)人 苏州紫灿科技有限公司
代理机构 武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人 易贤卫
地址 215000 江苏省苏州市吴江区黎里镇城司路158号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种具有自组装模板的AlGaN复合薄膜及其制备方法,所述具有自组装模板的AlGaN薄膜由下至上依次设置有蓝宝石衬底、AlN低温缓冲层、高温AlN层、AlGaN自组装模板层和高温AlGaN薄膜层;所述AlGaN自组装模板层由紧贴设置的AlInGaN薄膜层和AlGaN低温层升温退火至In升华后制得,且升温退火前所述AlInGaN薄膜层位于靠近所述高温AlN层一侧,所述AlGaN低温层位于靠近所述高温AlGaN薄膜层一侧。本发明通过AlInGaN薄膜层和AlGaN低温层经升温退火至In升华后,形成具有图形化的AlGaN自组装模板层,该AlGaN自组装模板层可以有效过滤来源于高温AlN层的穿透位错,并释放生长过程中积累的热应力,从而显著提高AlGaN复合薄膜的质量并防止薄膜开裂。