一种具有自组装模板的AlGaN复合薄膜及其制备方法
基本信息

| 申请号 | CN202010830369.0 | 申请日 | - |
| 公开(公告)号 | CN112086543B | 公开(公告)日 | 2021-11-26 |
| 申请公布号 | CN112086543B | 申请公布日 | 2021-11-26 |
| 分类号 | H01L33/12;H01L33/32;H01L33/00 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张骏;岳金顺;梁仁瓅 | 申请(专利权)人 | 苏州紫灿科技有限公司 |
| 代理机构 | 武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人 | 易贤卫 |
| 地址 | 215000 江苏省苏州市吴江区黎里镇城司路158号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要

| 摘要 | 本发明公开了一种具有自组装模板的AlGaN复合薄膜及其制备方法,所述具有自组装模板的AlGaN薄膜由下至上依次设置有蓝宝石衬底、AlN低温缓冲层、高温AlN层、AlGaN自组装模板层和高温AlGaN薄膜层;所述AlGaN自组装模板层由紧贴设置的AlInGaN薄膜层和AlGaN低温层升温退火至In升华后制得,且升温退火前所述AlInGaN薄膜层位于靠近所述高温AlN层一侧,所述AlGaN低温层位于靠近所述高温AlGaN薄膜层一侧。本发明通过AlInGaN薄膜层和AlGaN低温层经升温退火至In升华后,形成具有图形化的AlGaN自组装模板层,该AlGaN自组装模板层可以有效过滤来源于高温AlN层的穿透位错,并释放生长过程中积累的热应力,从而显著提高AlGaN复合薄膜的质量并防止薄膜开裂。 |





