一种降低工作电压的深紫外LED芯片及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202111518389.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114203869A | 公开（公告）日 | 2022-03-18 |
| 申请公布号 | CN114203869A | 申请公布日 | 2022-03-18 |
| 分类号 | H01L33/06（2010.01）I;H01L33/10（2010.01）I;H01L33/24（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I;H01L33/36（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张会雪;罗洪波;张骏;梁仁瓅;岳金顺 | 申请（专利权）人 | 苏州紫灿科技有限公司 |
| 代理机构 | 武汉智嘉联合知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 张璐 |
| 地址 | 215000江苏省苏州市吴江区黎里镇城司路158号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种降低工作电压的深紫外LED芯片及其制备方法，该降低工作电压的深紫外LED芯片，包括依次层叠设置的衬底、Al本征层、n型AlGaN层、量子阱有源层、p型AlGaN层、p型GaN接触层、n型反射型外延层和n电极金属层；n型AlGaN层经刻蚀后形成阶梯状结构，刻蚀后n型AlGaN层上依次层叠设置n型反射型外延层和n电极金属层；刻蚀后n型AlGaN层的厚度为n型AlGaN层初始厚度的0.2～0.8倍，n型反射型外延层为n型掺杂的GaN、InGaN、InAlGaN、AlGaN中的任意一种材料。本发明通过对n型AlGaN层刻蚀减薄，并在n型AlGaN层减薄处与n电极金属层之间引入n型反射型外延层，使深紫外LED芯片的工作电压降低，从而使深紫外LED芯片的光电转换效率显著提升。 |
