一种具有原位V型纳米孔结构的深紫外LED及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202011057376.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112242466B | 公开（公告）日 | 2022-01-28 |
| 申请公布号 | CN112242466B | 申请公布日 | 2022-01-28 |
| 分类号 | H01L33/20（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I;B82Y40/00（2011.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张骏;岳金顺;梁仁瓅 | 申请（专利权）人 | 苏州紫灿科技有限公司 |
| 代理机构 | 武汉智嘉联合知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 易贤卫 |
| 地址 | 215000江苏省苏州市吴江区黎里镇城司路158号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种具有原位V型纳米孔结构的深紫外LED及其制备方法，该具有原位V型纳米孔结构的深紫外LED由下至上依次设置有蓝宝石衬底、AlN本征层、n型AlGaN电子注入层、电流扩展层、V型纳米孔层、量子阱有源层、电子阻挡层、p型AlGaN注入层和p型GaN接触层；所述V型纳米孔层为具有若干V型纳米孔的AlGaN膜层，所述V型纳米孔为锥状结构，并设置于所述V型纳米孔层靠近所述量子阱有源层一侧，所述V型纳米孔的孔径为5～200nm。本发明通过在量子阱有源区生长前，通过降低生长温度的方式引入原位v型纳米孔，使空穴更加容易进入量子阱有源层的前几个阱之中，从而提高载流子注入效率，最终提高深紫外LED器件的发光效率。 |
