一种具有组分渐变量子阱结构的深紫外LED及制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202011196368.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112382708B | 公开（公告）日 | 2022-01-28 |
| 申请公布号 | CN112382708B | 申请公布日 | 2022-01-28 |
| 分类号 | H01L33/06（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I;B82Y30/00（2011.01）I;B82Y40/00（2011.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张骏;岳金顺;梁仁瓅 | 申请（专利权）人 | 苏州紫灿科技有限公司 |
| 代理机构 | 武汉智嘉联合知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 丁倩 |
| 地址 | 215000江苏省苏州市吴江区黎里镇城司路158号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种具有组分渐变量子阱结构的深紫外LED及其制备方法，该具有组分渐变量子阱结构的深紫外LED由下至上依次包括蓝宝石衬底、AlN本征层、n型AlGaN电子注入层、组分渐变的量子阱有源层、电子阻挡层、p型AlGaN空穴注入层和p型GaN接触层；组分渐变的量子阱有源层包括依次交替排布的若干势阱层和若干势垒层，且沿n型AlGaN电子注入层到电子阻挡层的方向上，第m+1层势垒层的Al组分含量百分数大于第m层势垒层的Al组分含量百分数。本发明在生长量子阱有源层的过程中，使若干势垒层呈现出Al组分递增的趋势，从而使量子阱有源层的等效势垒高度提高，促进电子和空穴在量子阱有源层的复合，提高了深紫外LED的发光效率。 |
