一种无裂纹AlN外延膜及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202111129485.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113897676A | 公开（公告）日 | 2022-01-07 |
| 申请公布号 | CN113897676A | 申请公布日 | 2022-01-07 |
| 分类号 | C30B29/40（2006.01）I;C30B25/04（2006.01）I;C30B25/06（2006.01）I;C30B25/18（2006.01）I;C30B28/14（2006.01）I;H01L33/00（2010.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 张骏;张毅;陈云;岳金顺 | 申请（专利权）人 | 苏州紫灿科技有限公司 |
| 代理机构 | 武汉智嘉联合知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 柏琳容 |
| 地址 | 215000江苏省苏州市吴江区黎里镇城司路158号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种无裂纹AlN外延膜及其制备方法，该方法的步骤包括：在蓝宝石衬底上外延生长AlN缓冲层；在AlN缓冲层上外延生长AlN一次外延层；对AlN一次外延层远离蓝宝石衬底一侧进行图形化处理；在AlN一次外延层进行图形化处理的一侧外延生长高温AlN层，得到无裂纹AlN外延膜；AlN一次外延层由第一AlN层和第二AlN层交替生长形成，第一AlN层的生长温度大于第二AlN层的生长温度，第一AlN层的V/III比小于第二AlN层的V/III比。本发明通过在AlN缓冲层和高温AlN层之间引入AlN一次外延层，并对AlN一次外延层进行图形化处理，不仅使高温AlN层的均匀性显著提高，还能够很好地释放生长过程中积累的热应力，防止AlN薄膜开裂。 |
