一种双层光子晶体结构的倒装深紫外LED及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202010216331.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111312877B | 公开（公告）日 | 2022-02-22 |
| 申请公布号 | CN111312877B | 申请公布日 | 2022-02-22 |
| 分类号 | H01L33/46（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I;H01L33/48（2010.01）I;B82Y30/00（2011.01）I;B82Y40/00（2011.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈谦;王昊;戴江南;陈长清 | 申请（专利权）人 | 苏州紫灿科技有限公司 |
| 代理机构 | 武汉智嘉联合知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 赵泽夏 |
| 地址 | 215000江苏省苏州市吴江区黎里镇城司路158号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种双层光子晶体结构的倒装深紫外LED及其制备方法，该双层光子晶体结构的倒装深紫外LED包括支架、深紫外LED芯片和透镜，其中：所述透镜设置于所述支架顶部，且所述深紫外LED芯片位于所述支架与透镜所围成的封闭空间中；所述深紫外LED芯片设置于所述支架底部，所述深紫外LED芯片靠近所述支架底部的一侧表面设置有第一纳米阵列结构，所述深紫外LED芯片远离所述支架底部的一侧表面设置有第二纳米阵列结构。本发明通过在深紫外LED的P型GaN接触层上设置第一纳米阵列结构，同时在蓝宝石衬底上设置第二纳米阵列结构，打破了现有的光提取效率上限，使深紫外LED的出光功率提升了一倍以上。 |
