一种具有隧穿结构的深紫外LED及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202111076064.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113809211A | 公开（公告）日 | 2021-12-17 |
| 申请公布号 | CN113809211A | 申请公布日 | 2021-12-17 |
| 分类号 | H01L33/12（2010.01）I;H01L33/06（2010.01）I;H01L33/14（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张毅;张骏;岳金顺 | 申请（专利权）人 | 苏州紫灿科技有限公司 |
| 代理机构 | 武汉智嘉联合知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 张璐 |
| 地址 | 215000江苏省苏州市吴江区黎里镇城司路158号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种具有隧穿结构的深紫外LED及其制备方法，该具有隧穿结构的深紫外LED由下至上依次设置有蓝宝石衬底、AlN缓冲层、AlN本征层、n型AlGaN电子注入层、量子阱有源层、p型AlGaN电子阻挡层、GaN隧穿层以及n型AlGaN接触层，p型AlGaN电子阻挡层、GaN隧穿层以及n型AlGaN接触层构成复合隧穿结构。本发明提供了一种具有隧穿结构的深紫外LED及其制备方法，通过P‑AlGaN/i‑GaN/n‑AlGaN复合隧穿结构来提高注入到量子阱中的载流子浓度，进而提高深紫外LED的量子效率。 |
