一种具有空穴蓄积结构的深紫外LED及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202011052851.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112242464B | 公开（公告）日 | 2022-01-28 |
| 申请公布号 | CN112242464B | 申请公布日 | 2022-01-28 |
| 分类号 | H01L33/14（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张骏;岳金顺;梁仁瓅 | 申请（专利权）人 | 苏州紫灿科技有限公司 |
| 代理机构 | 武汉智嘉联合知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 易贤卫 |
| 地址 | 215000江苏省苏州市吴江区黎里镇城司路158号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种具有空穴蓄积结构的深紫外LED及其制备方法，所述具有空穴蓄积结构的深紫外LED由下至上依次设置有蓝宝石衬底、AlN本征层、n型AlGaN电子注入层、电流扩展层、量子阱有源层、空穴蓄积层、电子阻挡层、p型AlGaN空穴注入层和p型GaN接触层；所述空穴蓄积层为Mg掺杂的单层AlGaN结构，生长温度为600～1000℃。本发明通过在量子阱有源层与电子阻挡层之间增加单层结构的空穴蓄积层，在提高电子阻挡层等效势垒高度的同时，提高注入到量子阱有源区中的空穴浓度，最终提高深紫外LED器件的发光效率。 |
