具有n型低阻欧姆接触结构的深紫外芯片及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202111517390.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114203868A | 公开（公告）日 | 2022-03-18 |
| 申请公布号 | CN114203868A | 申请公布日 | 2022-03-18 |
| 分类号 | H01L33/06（2010.01）I;H01L33/14（2010.01）I;H01L33/24（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I;H01L33/36（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张骏;张毅;岳金顺 | 申请（专利权）人 | 苏州紫灿科技有限公司 |
| 代理机构 | 武汉智嘉联合知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 张璐 |
| 地址 | 215000江苏省苏州市吴江区黎里镇城司路158号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种具有n型低阻欧姆接触结构的深紫外芯片及其制备方法，该深紫外芯片包括依次层叠设置的蓝宝石衬底、AlN本征层、n型AlGaN电子注入层、n型AlGaN辅助扩展层、n型AlGaN接触层、量子阱有源层、电子阻挡层、p型AlGaN空穴注入层、p型GaN接触层和p电极，还包括n电极；沿p型GaN接触层一侧刻蚀至n型AlGaN接触层，n型AlGaN接触层形成阶梯状结构，n电极设置于n型AlGaN接触层的刻蚀区域处；沿n型AlGaN电子注入层到n型AlGaN接触层方向，n型AlGaN辅助扩展层的掺杂浓度线性递增，且Al组分百分数线性递减。本发明通过引入掺杂浓度和Al组分百分数均渐变的n型AlGaN辅助扩展层，使深紫外LED芯片的n极接触电压降低，从而显著提升深紫外LED芯片的光电转换效率。 |
