IGBT器件
基本信息
| 申请号 | CN202010083995.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113257905A | 公开（公告）日 | 2021-08-13 |
| 申请公布号 | CN113257905A | 申请公布日 | 2021-08-13 |
| 分类号 | H01L29/739（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L27/082（2006.01）I;H01L27/02（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 周翔;曾大杰;肖胜安 | 申请（专利权）人 | 南通尚阳通集成电路有限公司 |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郭四华 |
| 地址 | 226000江苏省南通市崇川区崇川路79号国际青创园1号楼18层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种IGBT器件，由多个形成原胞并联而成，各原胞都形成在晶圆上的有源区中，各原胞的栅极结构采用沟槽栅，沟槽栅包括形成于栅极沟槽内侧表面的栅介质层和填充于栅极沟槽中的多晶硅栅；多晶硅栅完全填充栅极沟槽时会对晶圆产生对应的第一应力；在俯视面上，有源区分成两个以上的区域块，各区域块中的栅极沟槽呈条形结构且平行排列，相邻两个区域块中的栅极沟槽的条形结构不平行而具有夹角，使相邻两个区域块中的多晶硅栅对晶圆的第一应力的方向不同而使晶圆所受到的各多晶硅栅产生的合应力减少或消失。本发明能提高同一片晶圆上IGBT器件参数的均一性，并从而提高产品良率。 |
