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超结器件及其制造方法

基本信息

申请号 CN201911098287.5 申请日 -
公开（公告）号 CN112864246A 公开（公告）日 2021-05-28
申请公布号 CN112864246A 申请公布日 2021-05-28
分类号 H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 曾大杰 申请（专利权）人 南通尚阳通集成电路有限公司
代理机构 上海浦一知识产权代理有限公司 代理人 郭四华
地址 226000江苏省南通市崇川区崇川路79号国际青创园1号楼18层
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种超结器件，超结器件各原胞形成于对应的超结单元上，包括：沟道区和平面栅，栅漏电容为由平面栅对顶部漂移区和底部的第一导电类型柱进行纵向耗尽形成的电容。超结单元中，第二导电类型柱会对第一导电类型柱进行横向耗尽，在保持超结单元的电荷平衡或使第二导电类型掺杂总量多以保证击穿电压满足要求的条件下，超结单元的顶部区域中的第二导电类型柱的宽度设置为小于第一导电类型柱的宽度，以增加平面栅对第一导电类型柱的纵向耗尽并从而增加栅漏电容。本发明还公开了一种超结器件的制造方法。本发明能增加器件的栅漏电容，能有效降低器件在应用电路中的电磁干扰以及有效降低器件在应用电路中带来的电流和电压的过冲。