整合肖特基功率MOSFET及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201911098280.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112864245A | 公开（公告）日 | 2021-05-28 |
| 申请公布号 | CN112864245A | 申请公布日 | 2021-05-28 |
| 分类号 | H01L29/10(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘坚 | 申请（专利权）人 | 南通尚阳通集成电路有限公司 |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郭四华 |
| 地址 | 226000江苏省南通市崇川区崇川路79号国际青创园1号楼18层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种整合肖特基功率MOSFET，各MOSFET器件单元结构的沟槽中形成有屏蔽导电材料层和栅极导电材料层；肖特基二极管的形成区域整合在对应的两个沟槽之间；在各MOSFET器件单元结构的形成区域中，沟槽之间的第一外延层表面形成有沟道区和源区；在肖特基二极管的形成区域中，第一外延层的表面未形成沟道区和源区，第一外延层顶部直接通过接触孔连接到源极且接触孔和第一外延层相接触形成肖特基二极管。本发明还公开了一种整合肖特基功率MOSFET的制造方法。本发明能大幅度降低漂移区的导通电阻的同时，缩短器件的反向恢复时间，降低正向导通压降，同时改善器件的导通和开关损耗，大幅度提高器件的效率。 |
