超结结构及超结器件
基本信息
| 申请号 | CN201911280302.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112993007A | 公开（公告）日 | 2021-06-18 |
| 申请公布号 | CN112993007A | 申请公布日 | 2021-06-18 |
| 分类号 | H01L29/06;H01L29/872;H01L29/78 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 周翔 | 申请（专利权）人 | 南通尚阳通集成电路有限公司 |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郭四华 |
| 地址 | 226000 江苏省南通市崇川区崇川路79号国际青创园1号楼18层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种超结结构，超结结构为由第一薄层和第二薄层交替排列而成的自然超结结构；第一薄层由具有自发极化的氮化镓材料组成，第二薄层的材料为不同于氮化镓的半导体材料且第二薄层的材料也具有自发极化，利用第一薄层和第二薄层的自发极化特性在第一薄层和第二薄层的界面处形成束缚电荷，束缚电荷有利于吸引载流子并在界面处形成导电沟道。本发明还公开了一种超结器件。本发明能形成电荷完全平衡的氮化镓的超结结构，同时具有低比导通电阻和高击穿电压的优势。 |
