SGTMOSFET器件及制造方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

SGTMOSFET器件及制造方法

基本信息

申请号	CN201911190662.9	申请日	-
公开（公告）号	CN112864248A	公开（公告）日	2021-05-28
申请公布号	CN112864248A	申请公布日	2021-05-28
分类号	H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	曾大杰	申请（专利权）人	南通尚阳通集成电路有限公司
代理机构	上海浦一知识产权代理有限公司	代理人	郭四华
地址	226000江苏省南通市崇川区崇川路79号国际青创园1号楼18层
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种SGTMOSFET器件，栅极结构的底部氧化层和源多晶硅位于栅极沟槽的底部，底部氧化层的厚度满足150V以上耐压，栅极沟槽的顶部填充有采用CVD沉积形成的顶部氧化层，多晶硅栅形成在对顶部氧化层进行刻蚀形成的顶部子沟槽中，顶部子沟槽的宽度满足对多晶硅栅进行填充的需要，且顶部子沟槽的两侧面的深度相同时多晶硅栅的两侧面的深度相同。本发明还提供一种SGTMOSFET器件的制造方法。本发明能在保证底部氧化层实现150V以上的耐压条件下，采用左右结构的多晶硅栅从而能使多晶硅栅的宽度能实现多晶硅栅的良好和低难度的填充，且能保证多晶硅栅的两侧面的深度一致，从而能在满足沟道区的覆盖长度的条件下避免增加输入电容以及能增加器件的可靠性。