超结器件
基本信息
| 申请号 | CN201911098268.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112864244A | 公开（公告）日 | 2021-05-28 |
| 申请公布号 | CN112864244A | 申请公布日 | 2021-05-28 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 曾大杰 | 申请（专利权）人 | 南通尚阳通集成电路有限公司 |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郭四华 |
| 地址 | 226000江苏省南通市崇川区崇川路79号国际青创园1号楼18层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种超结器件，在电荷流动区中，超结器件至少包括第一原胞，第一原胞包括：位于第一导电类型柱的顶部区域中且和第二导电类型柱具有间距的第一沟道区。第一栅极结构覆盖第一沟道区，源区形成于第一沟道区的表面，源区的顶部通过穿过层间膜的接触孔连接到由正面金属层组成的源极，第二导电类型柱的顶部未连接电极而在超结器件动态工作时呈浮置结构。本发明能增加器件的栅漏电容，能有效降低器件在应用电路中的电磁干扰以及有效降低器件在应用电路中带来的电流和电压的过冲。 |
