封装结构及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202110177847.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112967933A | 公开（公告）日 | 2021-06-15 |
| 申请公布号 | CN112967933A | 申请公布日 | 2021-06-15 |
| 分类号 | H01L21/48（2006.01）I;H01L21/50（2006.01）I;H01L21/52（2006.01）I;H01L23/498（2006.01）I;H01L23/04（2006.01）I;H01L23/055（2006.01）I;H01L23/06（2006.01）I;H01L23/10（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 章军 | 申请（专利权）人 | 池州昀冢电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 苏州领跃知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王宁 |
| 地址 | 247000安徽省池州市皖江江南新兴产业集中区乐山路以西汉江路以北地块 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请公开了一种封装结构及其制作方法，所述方法包括：提供一高温共烧陶瓷基板，所述高温共烧陶瓷基板包括多个叠放的基板单元，所述基板单元上设置有贯穿所述基板单元上下两面的导电体，最上层以外的所述基板单元的上表面设置有层间导电层，最上层的所述基板单元的上表面不设置层间导电层；在最上层的所述基板单元的上表面制作第一导电层，在最下层的所述基板单元的下表面制作第二导电层；所述第一导电层和第二导电层分别采用以下任意一种方法得到：采用直接镀铜方式得到；在所述基板单元的表面制作导电膜层，根据预设的电路图形，对导电膜层进行激光刻蚀或采用CNC加工方式去除部分导电膜层。该方法可以提高多层陶瓷基板的线路精准度。 |
