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碳化硅沟槽MOSFET器件结构

基本信息

申请号	CN202122699656.5	申请日	-
公开（公告）号	CN216389377U	公开（公告）日	2022-04-26
申请公布号	CN216389377U	申请公布日	2022-04-26
分类号	H01L29/06（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L21/28（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	不公告发明人	申请（专利权）人	北京绿能芯创电子科技有限公司
代理机构	上海段和段律师事务所	代理人	李佳俊;郭国中
地址	101300北京市顺义区中关村科技园区顺义园临空二路1号
法律状态	-

摘要

本实用新型提供了一种碳化硅沟槽MOSFET器件结构，包括：碳化硅N+衬底、碳化硅外延N区、P井区、P+区、N+区、氧化层、栅极、栅氧、正面金属以及源极；碳化硅N+衬底上侧生长碳化硅外延N区；碳化硅外延N区上侧设置栅极和栅氧，栅极外侧部分设置栅氧；栅极上侧生长氧化层，栅极两侧设置P井区；P井区上侧和侧面设置N+区，P井区上设置P+区；P井区、P+区以及N+区上侧设置源极；源极和栅极上侧设置正面金属。本设计通过源区设置沟槽结构及多层外延工艺使器件在工作时栅电极下的峰值电场向源电极转移，降低了栅电极下的的峰值电场，从而能够有效降低了栅氧承受的更高电场强度，避免栅氧化层提前击穿，使得器件获得较好的击穿电压。