碳化硅二极管及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202111458178.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114068679A | 公开（公告）日 | 2022-02-18 |
| 申请公布号 | CN114068679A | 申请公布日 | 2022-02-18 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）I;H01L29/45（2006.01）I;H01L29/872（2006.01）I;H01L21/329（2006.01）I;H01L21/04（2006.01）I;H01L21/268（2006.01）I;H01L21/324（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 不公告发明人 | 申请（专利权）人 | 北京绿能芯创电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海段和段律师事务所 | 代理人 | 施嘉薇 |
| 地址 | 101300北京市顺义区中关村科技园区顺义园临空二路1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种碳化硅二极管及其制备方法，包括碳化硅衬底、多层外延层、多个P型分压环、多个P型扩散区、肖特基势垒层、欧姆接触层、背面金属电极、正面金属电极、二氧化硅薄膜以及聚酰亚胺层；背面金属电极和碳化硅衬底均设置在欧姆接触层上；多层外延层设置在碳化硅衬底上；多层外延层的两端均设置有二氧化硅薄膜；聚酰亚胺层设置在二氧化硅薄膜上；正面金属电极的两端均设置在二氧化硅薄膜上；肖特基势垒层设置在多层外延层上。本发明通过激光设备生成特定能量的激光束，朝向注入参杂区域，实现选择性区域激活，独立的激活深度控制，满足注入区域中晶格修复及离子激活条件。 |
